| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明得到能提高断开动作时的电流截断能力并降低导通电压的半导体装置。在设有IGBT的晶体管区域与配置在其周围的终端区域之间配置有抽取区域。在抽取区域中，在N<sup>-</sup>型漂移层(1)上设有P型层(11)。P型层(11)与发射极电极(9)连接。在P型层(11)上隔着绝缘膜(12)设有伪栅极电极(13)。伪栅极电极(13)与栅极电极(7)连接。终端区域中的载流子的寿命短于晶体管区域及抽取区域中的载流子的寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN102760760B | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201210138450.8 | 申请日期 | 2012.04.25 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 贞松康史;陈则;中村胜光 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其中包括：晶体管区域，设有具有栅极电极和发射极电极的绝缘栅型双极性晶体管；终端区域，配置在所述晶体管区域的周围；以及抽取区域，其配置在所述晶体管区域与所述终端区域之间，并抽取剩余的载流子，其特征在于：在所述抽取区域中在N型漂移层上设有P型层，所述P型层与所述发射极电极连接，在所述P型层上隔着绝缘膜设有伪栅极电极，所述伪栅极电极与所述栅极电极连接，所述终端区域中的载流子的寿命短于所述晶体管区域及所述抽取区域中的载流子的寿命。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||