| 发明名称 | 一种优化光学临近修正拟合结果的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种优化光学临近修正拟合结果的方法，包括：在光学临近修正过程中对晶圆版图进行模拟以及对晶圆版图进行实际制备，然后通过公式（I）计算模拟晶圆版图中图案特征的关键尺寸和实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的均方根值RMS，以监控和优化光学临近修正过程中的模拟结果；<img file="DDA0000389256580000011.GIF" wi="1140" he="352" />其中，所述W<sub>i</sub>为所述图案特征关键尺寸的权重，CD<sub>i（模拟）</sub>为模拟晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值，所述CD<sub>i（测量）</sub>为实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值。本发明方法考虑到不同关键尺寸CD的大小对所述拟合误差的影响，以保证关键尺寸小的特征的模拟（simulation）结果更加接近物理晶圆上测量的真实结果，使OPC的最终结果更加准确和合理。 | ||
| 申请公布号 | CN104516206A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201310451397.1 | 申请日期 | 2013.09.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 舒强;王铁柱 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F1/36(2012.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种优化光学临近修正拟合结果的方法，包括：在光学临近修正过程中对晶圆版图进行模拟以及对晶圆版图进行实际制备，然后通过公式（I）计算模拟晶圆版图中图案特征的关键尺寸和实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的均方根值RMS，以监控和优化光学临近修正过程中的模拟结果；<img file="FDA0000389256550000011.GIF" wi="1461" he="361" />其中，所述W<sub>i</sub>为所述图案特征关键尺寸的权重，CD<sub>i（模拟）</sub>为所述模拟晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值，所述CD<sub>i（测量）</sub>为所述实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||