| 发明名称 | 用于生产多晶硅电阻器的方法 | ||
| 摘要 | 用于生产多晶硅电阻器的方法。用于生产多晶硅电阻器装置的方法可包括：形成多晶硅层；将第一掺杂剂原子注入到所述多晶硅层的至少一部分中，其中第一掺杂剂原子包括深能级施主；将第二掺杂剂原子注入到所述多晶硅层的所述至少一部分中；以及使所述多晶硅层的所述至少一部分退火。 | ||
| 申请公布号 | CN104517811A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201410523353.X | 申请日期 | 2014.10.08 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | T.格罗斯;H.格鲁贝尔;W.伊尔巴赫尔;H-J.舒尔策;M.冯博尔克;M.聪德尔 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 蒋骏;马永利 |
| 主权项 | 一种用于生产多晶硅电阻器器件的方法，包括：形成多晶硅层；将第一掺杂剂原子注入到所述多晶硅层的至少一部分中，其中所述第一掺杂剂原子包括深能级施主；将第二掺杂剂原子注入到所述多晶硅层的所述至少一部分中；以及在注入所述第一掺杂剂原子和第二掺杂剂原子之后使所述多晶硅层的所述至少一部分退火。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||