发明名称 |
非易失性存储器件以及对损坏的存储单元执行修复操作的系统 |
摘要 |
公开了非易失性存储器件和存储系统。非易失性存储器件包括:主存储单元阵列、冗余存储单元阵列和控制器。主存储单元阵列包括多个位线,每个位线连接到垂直于衬底布置的多个串。冗余存储单元阵列包括多个冗余位线,每个冗余位线连接到垂直于衬底布置的多个冗余串。控制器被配置为控制冗余位线之一,以修复主存储单元阵列中的串。 |
申请公布号 |
CN102163465B |
申请公布日期 |
2015.04.15 |
申请号 |
CN201110041553.8 |
申请日期 |
2011.02.21 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
金杜坤 |
分类号 |
G11C29/44(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/44(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
邵亚丽 |
主权项 |
一种非易失性存储器件,包括:三维主存储单元阵列,其包括多个位线,每个位线连接到垂直于衬底布置的多个串;三维冗余存储单元阵列,其包括多个冗余位线,每个冗余位线连接到垂直于衬底布置的多个冗余串;以及控制器,其被配置为控制冗余位线之一,以执行对于所述三维主存储单元阵列中的串的修复操作,备用块,其包括多个存储单元,并存储具有损坏的单元的串的串选择地址和列层地址,其中,所述三维主存储单元阵列中的串和所述三维冗余存储单元阵列中的冗余串共用相同的字线,并且其中,所述位线和所述冗余位线以平行于衬底的方向布置。 |
地址 |
韩国京畿道 |