| 发明名称 | GaN基LED外延片及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种GaN基LED外延片及其形成方法，该GaN基LED外延片包括：衬底；和外延层，外延层位于衬底之上，包括依次堆叠的以下结构层：N型GaN层；位于N型GaN层一侧的第一InGaN/GaN多量子阱层；位于第一InGaN/GaN多量子阱层一侧的第二InGaN/GaN多量子阱层；位于第二InGaN/GaN多量子阱层一侧的P型GaN层，其中，第一InGaN/GaN多量子阱层中的阱层生长温度为T1，第二InGaN/GaN多量子阱层中的阱层生长温度为T2，其中T1＞T2。本发明的GaN基LED外延片及其形成方法具有蓝移值小、发光稳定性高等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN104518057A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201310451946.5 | 申请日期 | 2013.09.27 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 肖怀曙;谢春林 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种GaN基LED外延片，其特征在于，包括：衬底；和外延层，所述外延层位于所述衬底之上，包括依次堆叠的以下结构层：N型GaN层；位于所述N型GaN层一侧的第一InGaN/GaN多量子阱层；位于所述第一InGaN/GaN多量子阱层一侧的第二InGaN/GaN多量子阱层；位于所述第二InGaN/GaN多量子阱层一侧的P型GaN层，其中，所述第一InGaN/GaN多量子阱层中的阱层生长温度为T1，所述第二InGaN/GaN多量子阱层中的阱层生长温度为T2，其中T1＞T2。 | ||
| 地址 | 518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号 | ||