横向漏极金属氧化物半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种横向漏极金属氧化物半导体元件及其制造方法，该横向漏极金属氧化物半导体元件包括一阱区、一体区域、一源极区、一漏极区、一栅极结构、一浅沟道隔离结构以及一埋层，具有第二导电类型的阱区位于一衬底中，具有第一导电类型的一体区域位于阱区中，具有第二导电类型的漂移区位于阱区中并与体区域隔开，具有第二导电类型的一源极区于该体区域中，具有第二导电类型的漏极区于漂移区中，栅极结构位于阱区上并介于源极区与漏极区间，浅沟道隔离结构位于漂移区中并介于源极区与漏极区间，具有第一导电类型的埋层位于阱区中并位于漂移区之下，埋层的中心对齐于浅沟道隔离结构的中心。

主权项

一种晶体管的制造方法，包括：形成一沟道于一衬底中；利用该沟道的边缘作为一注入掩模，在垂直于该衬底的一主面的一方向上，注入一第一掺杂物至该衬底内，以形成一埋层于该沟道的一底面下，该第一掺杂物具有一第一导电类型；相对于垂直该衬底的该主面的该方向，以不同注入角度注入一第二掺杂物至该衬底内，以形成沿着该沟道的多个侧壁与该底面的一漂移注入层，该第二掺杂物具有一第二导电类型；以及沉积一介电材料于该沟道中。