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一种单矽烷及四烷氧基矽烷的制造方法，其特征为将一般式(1)所示之烷氧基矽烷，【化1】HnSi(OR)4-n(1)(式中，R系碳数1~6之烷基，n系1~3之整数)于含有硷金属氟化物之触媒及选自下述(i)~(vi)的触媒活性化剂之存在下，以气相进行不均化反应者，(i)一般式(2)(R1R2N)4P+X-(2)(式中，R1及R2系彼此独立地为碳数1~3之烷基，X系Br、Cl或F)所示之四(二烷基胺基)卤化物鏻，(ii)1,4-二氮杂二环[2.2.2]辛烷，(iii)一般式(3)[(R3R4N)2CNR5R6]+X-(3)(式中，R3、R4、R5及R6系彼此独立地为碳数1~3之烷基，X系Br、Cl或F)所示之六烷基卤化胍盐，(iv)一般式(4)R7R8R9R10N+Cl-(4)(式中，R7、R8、R9及R10系彼此独立地为碳数1~4之烷基)所示之四烷基氯化铵，
(v)氟化钙(vi)一般式(5)H3C-O-(CH2CH2O)m-CH3(5)(式中，m系2~8之整数)所示之低聚乙二醇二甲醚。 |
