发明名称 光二极体及光二极体阵列
摘要
申请公布号 TWI481052 申请公布日期 2015.04.11
申请号 TW099105363 申请日期 2010.02.24
申请人 滨松赫德尼古斯股份有限公司 发明人 山村和久;坂本明;永野辉昌;石川嘉隆;河合哲
分类号 H01L31/101;H01L27/14 主分类号 H01L31/101
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种光二极体,其特征在于:其包括矽基板,该矽基板包含第1导电型之半导体,且具有相互对向之第1主面及第2主面,于上述矽基板之上述第1主面侧配置雪崩光二极体,该雪崩光二极体系由具有较上述矽基板更高之杂质浓度的第1导电型之半导体区域与第2导电型之半导体区域之间的pn接合所构成,于上述矽基板之上述第2主面侧形成有具有较上述矽基板更高之杂质浓度之第1导电型之累积层,并且于至少与上述雪崩光二极体对向之区域形成有不规则之凹凸,上述矽基板之上述第2主面中之与上述雪崩光二极体对向之上述区域系光学性地露出。
地址 日本