| 发明名称 | 积体电路装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI480979 | 申请公布日期 | 2015.04.11 |
| 申请号 | TW102100812 | 申请日期 | 2013.01.09 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 萧逸璿;施彦豪;吕函庭;陈士弘 |
| 分类号 | H01L21/8239;H01L27/105 | 主分类号 | H01L21/8239 |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
| 主权项 | 一种积体电路装置(integrated circuit device)的制造方法，包括：蚀刻一基板以形成一凹处(pit)，该凹处具有低于该基板之一上表面的一目标深度(target depth)；量测该凹处以取得一量测深度；沉积一堆叠于该基板上的至少该凹处中，该堆叠包括交替排列的复数个主动层与复数个绝缘层，其中根据该凹处的该目标深度与该量测深度之一差值，该些绝缘层之至少之一系具有一厚度；以及进行一平坦化制程以提供一平坦化表面，其中该些主动层之最上层者具有一上表面系低于该平坦化表面。 | ||
| 地址 | 新竹县科学工业园区力行路16号 | ||