发明名称 缺陷分类法则建立方法、缺陷分类方法与基于该缺陷分类法则与关键区域分析的致命缺陷判断方法
摘要
申请公布号 TWI480967 申请公布日期 2015.04.11
申请号 TW101144587 申请日期 2012.11.28
申请人 敖翔科技股份有限公司 发明人 吕一云
分类号 H01L21/66;G01R31/26 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 庄志强 台北市大安区敦化南路2段71号18楼
主权项 一种致命缺陷判断方法,用于一制造工具,基于一缺陷分类法则与一关键区域分析而可以判断一致命缺陷,其中该缺陷分类法则系透过一缺陷分类法则建立方法而建立,其中该缺陷分类法则建立方法包括:将作为例子之具有多个致命缺陷的多个缺陷分类图像输入至该制造工具;将所有缺陷、图形和背景制程材料资讯输入至该制造工具;对每一个输入图像执行一图像侦测和分析,以创造出每一输入图像的至少一缺陷、一图形和一背景的多个图像特征,其中该些输入图像包括作为例子之具有该些致命缺陷的该些缺陷分类图像;基于每一输入图像的该缺陷、该图形和该背景的该些图像特征,创造出每一输入图像之该缺陷、该图形和该背景的多个制程特征与多个图像关联性特征;以及基于每一输入图像的该缺陷、该图形和该背景的该些图像特征、该些制程特征与该些图像关联性特征建立该缺陷分类法则,且该致命缺陷判断方法包括:输入一半导体图像至该制造工具,其中该半导体图像具有至少一缺陷;输入一缺陷扫描数据至该制造工具;载入该缺陷分类法则;对每一个半导体图像执行该图像侦测和分析,以创造出每一个半导体图像之该缺陷、该图形和该背景的该些图像特征; 基于每一个半导体图像的该缺陷、该图形和该背景的该些图像特征,创造出每一个半导体图像之该缺陷、该图形和该背景的该些制程特征与该些图像关联性特征;基于该缺陷分类法则对该半导体图像的该缺陷、该图形与该背景进行分类,以创造出一半导体之该缺陷的一分类结果;将一典型缺陷类型和致命缺陷判断知识输入至该制造工具;基于该典型缺陷类型和致命缺陷判断知识与该缺陷的该分类结果创造出一缺陷区域内的一图像图形轮廓、该缺陷区域外的一图像图形轮廓以及一缺陷轮廓;恢复该缺陷区域内的该图像图形轮廓;合并该缺陷区域内所恢复的该图像图形轮廓与该缺陷区域外的该图像图形轮廓,以创造出一布局多边形的一图像图形轮廓;基于该缺陷轮廓以及合并后的该图像图形轮廓执行该关键区域分析,以取得一关键区域分析结果;以及根据该关键区域分析结果判断该致命缺陷是否存在于该半导体中。
地址 新竹县竹东镇明星路228巷27号