| 摘要 |
<p>탄소함유막을 이용하여 반도체 소자의 미세 패턴을 형성하는 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 패턴 형성 방법에서는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판상에 피식각막을 형성하고, 제1 영역 위에서 피식각막 위에 복수의 제1 탄소함유막 패턴을 형성한다. 복수의 제1 탄소함유막 패턴의 상면 및 양 측벽을 덮는 버퍼층을 형성한다. 버퍼층 위에 제2 탄소함유막을 형성한다. 제2 영역에서 제2 탄소함유막을 제거한다. 제1 영역 및 제2 영역에서 버퍼층 중 일부를 제거하여 복수의 제1 탄소함유막 패턴을 노출시킨다. 복수의 제1 탄소함유막 패턴과 제1 영역에 남아 있는 제2 탄소함유막을 식각 마스크로 이용하여 피식각막을 식각한다.</p> |
