SOI-Wafer und Verfahren zu seiner Herstellung

摘要

SOI-Wafer mit folgenden Merkmalen: – einem Trägersubstrat (1); – einer auf dem Trägersubstrat (1) ausgebildeten Isolationsschicht (2), wobei ein vorgegebenes Hohlraummuster (3) auf einer der Hauptoberflächen des Trägersubstrats (1) ausgebildet ist, an der die Isolationsschicht (2) vorgesehen ist; – einer aktiven Halbleiterschicht (5), die auf der Isolationsschicht (2) ausgebildet ist, wobei das Hohlraummuster (3) geschlossen ist, wobei die aktive Halbleiterschicht (5) nicht in einem äußeren Umfangsbereich des Trägersubstrats (1) ausgebildet ist; und – einer Vielzahl von Überlagerungsmarkierungsmustern (4), die in dem äußeren Umfangsbereich auf der einen der Hauptoberflächen des Trägersubstrats (1) ausgebildet sind, um eine Position des Hohlraummusters (3) zu spezifizieren.