发明名称 |
一种新型电场调控的互补场效应管及其逻辑电路 |
摘要 |
本发明提供一种新型电场调制型场效应管及其衍生的互补型场效应管。所述新型场效应管的栅极和背栅施加一定电压时,源极和漏极之间的电阻状态在高低阻态之间变化;所述的互补型场效应管具有栅极、背栅、源极1和漏极1、源极2、漏极2,当栅极和背栅施加一定电压时,源极1和漏极1之间的电阻状态与源极2和漏极2之间的电阻状态变化相反,呈互补形式。利用上述的场效应管和互补型场效应管可以设计基本的逻辑电路,并包括由基本电路所组合形成的其它电路,以及现场可编程门阵列(FPGA)。利用线性电致电阻效应可以设计数控可调电阻。本发明提出的新型场效应管和互补型场效应管具有设计简单,集成度高、输入阻抗大、非易失性等优点。 |
申请公布号 |
CN102593129B |
申请公布日期 |
2015.04.08 |
申请号 |
CN201110304805.1 |
申请日期 |
2011.09.26 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
韩秀峰;郭鹏;陈怡然;刘东屏 |
分类号 |
H01L27/092(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I;G11C11/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/092(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
梁挥;鲍俊萍 |
主权项 |
一种电场调制型互补场效应管,其特征在于,所述互补场效应管的基本结构为第一导电层、第一绝缘势垒层、第一缓冲层、功能层、第二缓冲层、第二绝缘势垒层、第二导电层,第一缓冲层和第二缓冲层上的电极作为该互补场效应管的栅极和背栅,用于进行电场的垂直或水平施加;第一导电层上的两个电极作为第一源极和第一漏极,第二导电层上的两个电极作为第二源极和第二漏极,所述的功能层包括铁电或多铁性纳米薄膜。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村南三街8号 |