一种通孔的刻蚀方法

摘要

本发明提供一种通孔的刻蚀方法，包括：将从下到上依次层叠的含有铜金属层的半导体衬底、刻蚀停止层和层间介质层的表面涂覆光刻胶，并放入反应腔内；对光刻胶和中间层介质进行刻蚀；经终端探测系统探测到层间介质层刻蚀完毕，调节偏压功率为零，通入含氟气体和辅助气体的混合气体对刻蚀停止层进行刻蚀，直至将铜金属层表面的刻蚀停止层去除。本发明通过在刻蚀过程中采用大量的辅助气体和少量的含氟气体所形成混合气体作为刻蚀气体，含氟气体起到主要的刻蚀作用，辅助气体起到移除刻蚀的侧壁上的聚合物和稀释气体的目的，同时配合零偏压功率，这样可以有效避免刻蚀过程中刻蚀不均匀的现象，从而提高刻蚀速率和刻蚀工艺的效率。

主权项

一种通孔的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：步骤S01：将从下到上依次层叠的含有铜金属层的半导体衬底、刻蚀停止层和层间介质层的表面涂覆光刻胶，并放入反应腔内；步骤S02：对所述光刻胶和所述层间层介质进行刻蚀；步骤S03：经终端探测系统探测到所述层间介质层刻蚀完毕后，调整偏压功率为零，通入含氟气体和含量大于所述含氟气体的辅助气体的混合气体作为刻蚀气体，其中所述辅助气体用于去除上述刻蚀过程中沉积在通孔侧壁上的聚合物以及稀释所述含氟气体；步骤S04：对所述刻蚀停止层进行刻蚀，直至去除所述铜金属层表面的所述刻蚀停止层。