| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种包括半导体基板的半导体器件的制造方法。该方法包括：使用包含具有不同光透射率的多个区域的光掩模来曝光涂敷在半导体基板上的光刻胶；显影光刻胶以形成包含具有取决于光刻胶的曝光量的不同厚度的多个区域的抗蚀剂图案；以及通过具有不同厚度的抗蚀剂图案的多个区域将杂质离子注入到半导体基板中，以形成从半导体基板的表面到峰值位置的深度相互不同的多个杂质区域。到峰值位置的深度取决于注入的杂质离子所穿过的抗蚀剂图案的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN102629554B | 申请公布日期 | 2015.04.08 |
| 申请号 | CN201210020142.5 | 申请日期 | 2012.01.29 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 手塚智之;篠原真人;川端康博 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/266(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 高青 |
| 主权项 | 一种包括半导体基板的固态图像传感器的制造方法，该方法包括：使用包含具有不同光透射率的多个区域的光掩模来曝光涂敷在半导体基板上的光刻胶；显影光刻胶以形成包含具有取决于光刻胶的曝光量的不同厚度的多个区域的抗蚀剂图案；以及通过具有不同厚度的抗蚀剂图案的多个区域将杂质离子注入到半导体基板中，以形成从半导体基板的表面到峰值位置的深度相互不同的多个杂质区域，所述多个杂质区域包括用于形成光电转换元件的第一杂质区域、用于形成晶体管的第二杂质区域、和用于隔离光电转换元件和晶体管的第三杂质区域，其中，到峰值位置的深度取决于注入的杂质离子所穿过的抗蚀剂图案的厚度。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||