一种细节距钎料柱凸点互连结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种细节距钎料柱凸点互连结构及其制备方法，属于微电子先进封装技术领域。该结构特征是芯片表面的钎料柱凸点包括凸点下金属层、钎料柱以及钎料柱顶部的钎料球，钎料柱的熔点高于钎料球。形成该结构的一个方法是：在芯片晶圆表面的金属焊盘上溅射粘附层和种子层；涂胶、曝光、显影，形成凸点开口图案；然后电镀钎料柱至一定高度，通过印刷钎料膏或真空液态钎料填充低熔点钎料层至一定高度；之后去除厚光刻胶层；回流形成钎料柱凸点；以凸点为掩模刻蚀凸点下金属层。本发明形成的细节距凸点具有熔点低的特性，可以在低温下倒装回流，同时由于钎料柱比金属凸点柱具有更好的塑性和延展性，倒装回流工艺形成的焊点结构具有较低应力，有利于改善Cu low-K芯片可靠性，同时在凸点材料选择方面具有很大灵活性。

主权项

一种细节距钎料柱凸点互连结构，其特征在于：该结构包括一个芯片基底(1)，芯片基底(1)上部至少有一个钎料柱凸点，钎料柱凸点包括钎料柱(6)、钎料球(8)和凸点下金属层(4)，钎料球(8)与钎料柱(6)顶部相连，凸点下金属层(4)与钎料柱(6)底部连接，芯片基底(1)顶部连接有金属焊盘(2)，凸点下金属层(4)下部与金属焊盘(2)连接；钎料柱(6)的熔点高于200度，高度大于5微米，钎料球(8)熔点小于180度，形成钎料球(8)的回流温度不高于200度。