发明名称 非水电解质二次电池用负极材料及其制造方法以及锂离子二次电池
摘要 本发明提供一种非水电解质二次电池用负极材料的制造方法,其是在有机物气体及/或蒸汽环境下,以800℃以上1300℃以下的温度进行热CVD处理,以此来对包含氧化硅和硅-硅氧化物系复合体中至少一者的粉末的表面,覆盖碳并使覆盖量相对于粉末为1~40质量%,在将覆盖碳后的粉末与氢化锂及/或氢化锂铝混合之后,以200℃以上800℃以下的温度加热,向覆盖碳后的粉末中掺杂锂,并使锂相对于粉末的掺杂量为0.1~20质量%,其中氧化硅是由SiO<sub>x</sub>(x=0.5~1.6)表示的氧化硅,硅-硅氧化物系复合体具有粒径为50nm以下的硅以原子级及/或微晶体状态分散于硅氧化物中的结构,且Si∶O=1∶0.5~1.6。
申请公布号 CN102214824B 申请公布日期 2015.04.08
申请号 CN201110085977.4 申请日期 2011.04.02
申请人 信越化学工业株式会社 发明人 川田敦雄
分类号 H01M4/36(2006.01)I;H01M4/139(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I 主分类号 H01M4/36(2006.01)I
代理机构 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人 菅兴成;吴小瑛
主权项 一种非水电解质二次电池用负极材料,是使用非水电解质的二次电池用负极材料,其特征在于,至少包括:硅‑硅氧化物系复合体,其具有粒径为0.5~50nm的硅以原子级及/或微晶体状态分散于硅氧化物中的结构,且Si/O的摩尔比为1/0.5~1.6;及碳覆膜,其以相对于该硅‑硅氧化物系复合体的覆盖量为1~40质量%地覆盖该硅‑硅氧化物系复合体的表面;并且至少以相对于所述硅‑硅氧化物系复合体的掺杂量为0.1~20质量%地掺杂有锂,且在Cu‑K α线的X射线衍射中,归属于2θ=35.8±0.2°的SiC的峰强度I(SiC)与归属于2θ=28.4±0.2°的Si的峰强度I(Si)的比I(SiC)/I(Si),满足I(SiC)/I(Si)≤0.03的关系。
地址 日本东京都