一种应力释放的掺杂氧化锌导电薄膜的生长方法

摘要

本发明公开了一种应力释放的掺杂氧化锌透明导电薄膜的生长方法，其特征在于：包括在LED外延片上生长有三层掺杂氧化锌导电薄膜，掺杂氧化锌导电薄膜按生长顺序依次分为掺杂型ZnO接触层、掺杂型ZnO导电层和掺杂型ZnO粗糙层，所述的掺杂元素为Al、In、Ga、B中的一种或多种。本发明通过调整MOCVD腔体内部压力、锌源、掺杂源流量以及温度从而改变氧化锌薄膜的生长模式，进而导致薄膜晶体结构形成较大差异，有效释放膜层内部积聚的应力，减少并杜绝了透明导电薄膜在芯片工艺中出现开裂的现象，同时可以精确控制所生长薄膜的厚度，有效提升LED芯片的光提取效率。

主权项

一种应力释放的掺杂氧化锌透明导电薄膜的生长方法，其特征在于：包括在LED外延片上生长有三层掺杂氧化锌导电薄膜，掺杂氧化锌导电薄膜按生长顺序依次分为掺杂型ZnO接触层、掺杂型ZnO导电层和掺杂型ZnO粗糙层。