METHODS OF CONTAINING DEFECTS FOR NON-SILICON DEVICE ENGINEERING

摘要

제1 격자 구조와는 상이한 제2 격자 구조를 갖는 버퍼 재료 내의 정합된 격자 구조를 갖는 웰 재료의 웰 상에 제1 격자 구조를 갖는 채널 재료를 포함하는 디바이스를 포함하는 장치. 버퍼 재료에 트랜치를 형성하는 단계; 버퍼 재료의 격자 구조와 상이한 격자 구조를 갖는 n-형 웰 재료를 트랜치에 형성하는 단계; 및 n-형 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하는 방법. 채널 재료를 포함하는 n-형 트랜지스터를 포함하는 상보형 금속 산화물 반도체 회로를 포함하는 프로세서를 포함하는 컴퓨터를 포함하는 시스템으로서, 채널 재료는 제1 격자 구조와는 상이한 제2 격자 구조를 갖는 버퍼 재료에 배치된 웰 상의 제1 격자 구조를 갖고, n-형 트랜지스터는 p-형 트랜지스터에 접속됨.