一种光电探测器及其制备方法

摘要

本发明所述的一种光电探测器，包括层叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、InGaAs光敏层、InP帽层和钝化层；钝化层中开设有暴露InP帽层部分区域的通孔，沿通孔内侧壁形成环形第二电极，第二电极的部分区域延伸至钝化层的上部，形成搭接区；搭接区上部直接设置有电极引线；沿通孔靠近接触区的一侧的任一切线方向，形成有贯通InP缓冲层、InGaAs光敏层以及InP帽层的沟道，并沿InP衬底的平行面方向，将三者分割为两部分；这就使得电极引线无法与其垂直下方的各半导体层形成电容结构，或者即使形成的电容结构也不能连接到光电探测器电路中，有效减少了电极引线形成的寄生电容，提高了光电探测器的响应速度。

主权项

一种光电探测器，包括层叠设置的半绝缘InP衬底(1)和InP缓冲层(2)，所述InP缓冲层(2)上直接形成有不相连的第一电极(5)和InGaAs光敏层(3)，所述InGaAs光敏层(3)上层叠设置有InP帽层(4)和钝化层(8)，所述InP帽层(4)面积小于或等于所述InGaAs光敏层(3)的面积；所述钝化层(8)中开设有暴露所述InP帽层(4)部分区域的通孔，沿所述通孔内侧壁形成环形第二电极(6)，所述第二电极(6)的部分区域延伸至所述钝化层(8)的上部，形成搭接区；所述搭接区上部直接设置有电极引线(7)；其特征在于，沿所述通孔靠近所述接触区的一侧的任一切线方向，形成有贯通所述InP缓冲层(2)、所述InGaAs光敏层(3)以及所述InP帽层(4)的沟道，沿所述InP衬底(1)的平行面方向，所述沟道将层叠设置的所述InP缓冲层(2)、所述InGaAs光敏层(3)以及所述InP帽层(4)分割为两部分。