发明名称 静态电流(IDDQ)指示及测试装置和方法
摘要 一种电子器件的实施例包括逻辑电路(130)、开关元件(132)和静态电流(IDDQ)评估电路(134)。逻辑电路(130)与第一接地节点(154)耦接。开关元件(132)被耦接于第一接地节点(154)和第二接地节点(156)之间。开关元件(132)在该电子器件处于IDDQ评估状态时可配置为非导电状态(216),而在该电子器件不处于IDDQ评估状态时可配置为导电状态(213)。当电子器件处于IDDQ评估状态时,IDDQ评估电路(134)被配置为在第一和第二接地节点(154、156)之间的IDDQ指示电压超过参考电压(220)时提供(224)第一输出信号。其它的实施例包括用于在电子器件内产生IDDQ的指示的方法(图2)以及用于制作具有产生IDDQ指示的能力的电子器件的方法(图4)。
申请公布号 CN102770774B 申请公布日期 2015.04.08
申请号 CN201180007327.6 申请日期 2011.01.19
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 N·A·杰瑞格;I·S·坎达尔
分类号 G01R31/02(2006.01)I;G01R31/28(2006.01)I 主分类号 G01R31/02(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 秦晨
主权项 一种电子器件,包括:第一接地节点;第二接地节点;具有逻辑接地输出的逻辑电路,其中所述逻辑接地输出与所述第一接地节点电耦接,并且当所述电子器件处于静态电流IDDQ评估状态时,所述逻辑电路产生在所述第一接地节点和所述逻辑接地输出之间流动的静态电流IDDQ;电耦接于所述第一接地节点和所述第二接地节点之间的开关元件,其中当所述电子器件处于所述IDDQ评估状态时,所述开关元件可配置为非导电状态,并且当所述电子器件不处于所述IDDQ评估状态时,所述开关元件可配置为导电状态;以及电耦接于所述第一接地节点和所述第二接地节点两端的IDDQ评估电路,其中,当所述电子器件处于所述IDDQ评估状态时,所述IDDQ评估电路被配置为当所述第一接地节点和所述第二接地节点两端的IDDQ指示电压超过参考电压时提供第一输出信号,其中所述IDDQ指示电压与在所述第一接地节点和所述逻辑接地输出之间流动的所述IDDQ相关,以及其中所述IDDQ评估电路的输出与所述电子器件的外部接触件电耦接,并且所述第一输出信号通过所述IDDQ评估电路的所述输出提供给所述外部接触件。
地址 美国得克萨斯
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