RF LDMOS器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种RF LDMOS器件，其结构是，在P外延的左部形成有一P阱，右部形成有一漏端N型轻掺杂区；所述漏端N型轻掺杂区的右部形成有一漏端N型重掺杂区；所述漏端N型轻掺杂区的左部形成有一N型中掺杂区；所述漏端N型重掺杂区同所述N型中掺杂区不接触。本发明的RF LDMOS器件，漏端N型轻掺杂区为横向非均匀N掺杂，靠近多晶硅栅的一边掺杂浓度相对较高，而靠近漏端的区域掺杂浓度相对较低，在保证器件具有较高击穿电压的同时，有效地降低了器件的导通电阻。本发明还公开了该种RF LDMOS器件的制造方法。

主权项

一种RF LDMOS器件，其特征在于，在P外延的左部形成有一P阱，右部形成有一漏端N型轻掺杂区，所述P阱与所述漏端N型轻掺杂区不接触；所述P阱上部形成有一源端N型重掺杂区；所述漏端N型轻掺杂区的右部形成有一漏端N型重掺杂区；所述漏端N型轻掺杂区的左部形成有一N型中掺杂区；所述漏端N型重掺杂区同所述N型中掺杂区不接触；N型中掺杂区的N型杂质浓度，小于N型重掺杂区的N型杂质浓度，并且大于N型轻掺杂区的N型杂质浓度；所述源端N型重掺杂区右侧的P阱上方，及所述P阱与所述漏端N型轻掺杂区之间的P外延上方，及所述N型中掺杂区左侧的N型轻掺杂区上方，形成有栅氧；所述栅氧上方形成有多晶硅栅；所述多晶硅栅上方，及所述N型中掺杂区左部上方，形成有氧化层。