一种改善金属硅化物的方法

摘要

本发明涉及半导体器件优化领域，尤其涉及一种金属硅化物改善的方法，在一硅衬底的栅极结构形成后，沉积一层掺氟的氧化硅(FSG)，然后沉积氮化硅层，选择性的去掉PMOS上的氮化硅，进行高温退火后，去除掉所有的氮化硅层和掺氟氧化硅层。器件形成后，沉积氮化硅作为SAB掩膜，需要形成金属硅化物的地方，经过曝光显影刻蚀选择性的去掉覆盖其上的氮化硅，沉积金属层和保护层氮化硅，进行二次退火形成镍硅化物。掺氟氮化硅中氟通过后续的退火向基底硅中扩散，增加基底硅中的氟含量，降低Ni piping和spiking发生的可能。

主权项

一种改善金属硅化物的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，提供一预设有金属硅化物制备区的衬底，于所述衬底上形成栅极结构；步骤S2，沉积掺氟氧化硅层覆盖所述硅衬底及所述栅极结构暴露的表面，制备氮化硅层覆盖所述掺氟氧化硅层的上表面；步骤S3，去除PMOS上的所述氮化硅层，进行第一热处理工艺，以将所述掺氟氧化硅层中的氟扩散至所述衬底中；步骤S4，去除所述掺氟氧化硅层和剩余氮化硅层，以将位于所述金属硅化物制备区中的衬底及所述栅极结构的外表面均予以暴露；步骤S5，于暴露的所述金属硅化物制备区的衬底表面上制备金属复合层，并继续第二热处理工艺，以于该金属硅化物制备区中形成金属硅化物层。