发明名称 防止高压电网骤停导致斩波器损坏的转子变频装置主回路
摘要 本实用新型的名称为防止高压电网骤停导致斩波器损坏的转子变频装置主回路。属于电机调速技术领域。旨在解决现有绕线式异步电动机转子变频器在调速过程中高压电网骤停引起电动机瞬态高能释放产生高压导致斩波器损坏的问题。它的主要特征是:在斩波器二端并联的大功率保护可控硅和BOD保护模块;可控硅的阴极连接绝缘栅双极型晶体管的E极,可控硅的阳极连接绝缘栅双极型晶体管的C极,可控硅的触发极连接BOD保护模块的门极触发端;BOD保护模块负端连接绝缘栅双极型晶体管的C极,BOD保护模块正端连接绝缘栅双极型晶体管的E极。本实用新型具有改造方便,成本低等优点。
申请公布号 CN204258288U 申请公布日期 2015.04.08
申请号 CN201420828586.6 申请日期 2014.12.24
申请人 万洲电气股份有限公司 发明人 赵世运;陈华桥;王敏化
分类号 H02H9/04(2006.01)I 主分类号 H02H9/04(2006.01)I
代理机构 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 代理人 严崇姚
主权项 一种防止高压电网骤停导致斩波器损坏的转子变频装置主回路,它包含电机转子绕组、逻辑切换接触器(KM1‑4)、水阻起动单元(YQ)、三相桥式不可控整流单元(ZL)、续流电抗器(L1)、由绝缘栅双极型晶体管(IGBT)构成的斩波器、储能电容(C)、平波电抗器(L2)、三相有源逆变器(NB)、熔断器、传感器(CG),其特征在于:还包括在斩波器二端并联的可控硅(VT)和BOD保护模块;所述可控硅(VT)的阴极连接绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的E极,可控硅(VT)的阳极连接绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的C极,可控硅(VT)的触发极连接BOD保护模块的门极触发端(g);所述BOD保护模块负端(‑)连接绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的C极,BOD保护模块正端(+)连接绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的E极。
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