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<p>본 발명은, 트랜지스터의 전기 특성의 변동이 생기기 어렵고, 안정성이 높은 산화물 반도체 적층막을 제공하는 것을 과제로 한다. 또한, 상기 산화물 반도체 적층막을 채널이 형성되는 영역에 포함한 전기적으로 안정된 특성을 가지는 트랜지스터를 제공하는 것을 과제로 한다. 산화물 반도체 적층막은 인듐, 갈륨, 및 아연을 함유하고, 순서대로 적층된 제 1 산화물 반도체층, 제 2 산화물 반도체층, 및 제 3 산화물 반도체층을 포함한다. 제 2 산화물 반도체층은 제 1 산화물 반도체층 및 제 3 산화물 반도체층보다 인듐의 함유율이 높고, 산화물 반도체 적층막은 에너지가 1.5eV 이상 2.3eV 이하의 범위에서, CPM에 의해 측정된 흡수 계수가 3×10-/cm 이하이다.</p> |
