| 摘要 |
본 발명의 박막 트랜지스터용 산화물은 In, Zn 및 Sn을 적어도 포함하는 In-Zn-Sn계 산화물이며, In-Zn-Sn계 산화물에 포함되는 금속 원소의 함유량(원자％)을 각각 [Zn], [Sn] 및 [In]으로 했을 때, [In]/([In]＋[Sn])≤0.5일 때에는 하기 식2, 4를 만족시키고; [In]/([In]＋[Sn])>0.5일 때에는 하기 식1, 3, 4를 만족시키는 것이다. [식 1][식 2][식 3][식 4]본 발명에 따르면, TFT의 스위칭 특성이 우수하고, 스퍼터링 시의 스퍼터 레이트가 높고, 또한 웨트 에칭 시의 에칭 레이트가 적절하게 제어된 박막 트랜지스터용 산화물 박막이 얻어진다. |
