发明名称 PASSIVATION LAYER FORMING COMPOSITION, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH PASSIVATION LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, SOLAR CELL DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SOLAR CELL
摘要 <p>본 발명의 패시베이션층 형성용 조성물은, 하기 일반식(I)으로 표시되는 유기 알루미늄 화합물과, 티탄알콕시드, 지르코늄알콕시드 및 실리콘알콕시드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 알콕시드 화합물을 포함한다. 하기 일반식(I) 중, R은 각각 독립적으로 탄소수 1∼8의 알킬기를 나타내고; n은 0∼3의 정수를 나타내고; X및 X는 각각 독립적으로 산소 원자 또는 메틸렌기를 나타내고; R, R및 R는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼8의 알킬기를 나타낸다.</p>
申请公布号 KR20150036286(A) 申请公布日期 2015.04.07
申请号 KR20157002562 申请日期 2013.07.12
申请人 发明人
分类号 H01L21/312;H01L21/316;H01L31/0216;H01L31/0224 主分类号 H01L21/312
代理机构 代理人
主权项
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