CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITION COMPRISING NON-IONIC SURFACTANT AND AROMATIC COMPOUND COMPRISING AT LEAST ONE ACID GROUP

摘要

본 화학 기계 연마 (CMP) 조성물 (Q) 은 하기를 포함한다: (D)무기 입자, 유기 입자, 또는 이의 혼합물 또는 복합물 (이때 입자는 코쿤-형상의 무기 입자, 유기 입자, 또는 이의 혼합물 또는 복합물임) (E)비-이온성 계면활성제, (F)하나 이상의 산 기를 포함하는 방향족 화합물 (Y), 또는 이의 염, 및 (N)수성 매질.