发明名称 NON-VOLATILE MEMORY HAVING 3D ARRAY ARCHITECTURE WITH BIT LINE VOLTAGE CONTROL AND METHODS THEREOF
摘要 <p>수직 로컬 비트라인을 가진 3D 메모리에서, 각 로컬 비트라인은 제 1 끝 및 제 2 끝을 가진 전역 비트라인 상에 노드에 전환가능하게 연결되고 로컬 비트라인 전압은 가변 회로 경로 길이 및 회로 직렬 저항을 구성하는 전역 비트라인의 제 1 끝으로부터 비트라인 구동기에 의해 구동됨에도 불구하고 소정의 기준 레벨에 유지된다. 이것은 전역 비트라인의 제 2 끝에 비트라인 전압 비교기에 의해 제어되는 전역 비트라인의 제 1 끝에 전압 클램프를 포함하는 피드백 전압 레귤레이터에 의해 달성된다. 비교기는 제 2 끝으로부터 감지된 비트라인 전압을 소정의 기준 레벨과 비교하여 전압 클램프를 제어하기 위한 제어 전압을 출력한다. 이에 따라 로컬 비트라인에 전압은 기준 전압에 레귤레이트된다.</p>
申请公布号 KR20150035788(A) 申请公布日期 2015.04.07
申请号 KR20147036718 申请日期 2013.05.31
申请人 发明人
分类号 G11C5/02;G11C7/12;G11C7/18;G11C13/00 主分类号 G11C5/02
代理机构 代理人
主权项
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