| 摘要 |
半導体セラミック層１ａ〜１ｇを形成する半導体セラミックが、ＳｒサイトとＴｉサイトとの配合モル比ｍは１．０００≦̸ｍ≦̸１．０２０であり、ドナー元素が結晶粒子中に固溶されると共に、アクセプタ元素が、前記Ｔｉ元素１００モルに対し０．５モル以下（好ましくは０．３〜０．５モル）の範囲で粒界層中に存在し、Ｚｒ元素が前記Ｔｉ元素１００モルに対し０．１５モル以上３．０モル以下の範囲で含有され、かつ、結晶粒子の平均粒径が１．５μｍ以下である。これにより実用性に耐えうる絶縁性能を確保しつつ製品歩留まりの向上を図ることができ、かつ良好なＥＳＤ耐圧を有する量産性に適したＳｒＴｉＯ３系粒界絶縁型のバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサを実現する。 |
