交互伝導タイプの領域を有する静電放電保護用の半導体デバイス

摘要

第１のノード（１２０１）と第２のノード（１２０２）との間に結合されることにより、静電放電（ＥＳＤ）事象に応答して第１のノードから第２のノードに電流をシンクする、ＮＰＮトランジスタ（１２０３）及びＰＮＰトランジスタ（１２０４）を少なくとも備える保護デバイス。これらのトランジスタは、ＮＰＮトランジスタのＮコレクタ（１２２２）が第１のノードに対して結合され、ＮＰＮトランジスタのＰベース（１２２４）がＰＮＰトランジスタのＰエミッタ（１２２４）に対して結合され、ＮＰＮトランジスタのＮエミッタ（１２２５）がＰＮＰトランジスタのＮベース（１２２５）に対して結合され、ＰＮＰトランジスタのＰコレクタ（１２２３）が第２のノードに対して結合され、それにより、ＮＰＮＰ構造を有するデバイスが実現され得るように、結合されてもよい。【選択図】 図１２