| 发明名称 |
电晶体、包含该电晶体之半导体装置及该电晶体与该半导体装置之制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI479656 |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
| 申请号 |
TW099103977 |
申请日期 |
2010.02.09 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
坂田淳一郎;乡户宏充;岛津贵志 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种电晶体，包括：闸极电极；在该闸极电极之上的闸极绝缘层；在该闸极绝缘层之上的氧化物半导体层，该氧化物半导体层与该闸极电极重叠；在该氧化物半导体层之上且与该氧化物半导体层接触的矽层；在该矽层之上的第一杂质半导体层；在该矽层之上的第二杂质半导体层；与该第一杂质半导体层电连接的源极电极层；以及与该第二杂质半导体层电连接的汲极电极层。
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| 地址 |
日本 |
