薄膜晶体管

摘要

本发明的薄膜晶体管包括：栅电极；以覆盖栅电极的方式设置的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上以重叠于栅电极的方式设置的半导体层；设置在半导体层的一部分上的用来形成源区域及漏区域的杂质半导体层；以及设置在杂质半导体层上的布线层，其中源区域及漏区域的宽度小于半导体层的宽度，并且半导体层的宽度至少在源区域和漏区域之间被扩大。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：第一布线层；覆盖所述第一布线层的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上的半导体层，该半导体层重叠于所述第一布线层并包括沟道形成区域；设置在所述半导体层的一部分上且形成源区域及漏区域的杂质半导体层；以及所述杂质半导体层上的第二布线层，该第二布线层用作源电极和漏电极，其中，所述半导体层包括一对第一区域和第二区域，该一对第一区域中的每一个具有沿着沟道形成区域宽度方向的第一宽度，而该第二区域具有沿着所述沟道形成区域宽度方向的第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度，并且，所述第二区域设置在所述第一区域之间并与所述第二布线层相重叠。