压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片

摘要

本实用新型公开了一种压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片，该芯片主要包括硅基框架，主梁，微梁，质量块，其中质量块通过主梁和微梁与硅基框架相连；质量块一端设置有微梁，微梁上设有应变电阻，质量块另一端设置有对称的两个主梁，主梁一端与质量块相连，另一端与硅基框架相连，应变电阻通过金属导线连接成惠斯通电桥。主梁的劲度系数远大于微梁的劲度系数（通常大几十到上千倍），应变电阻为多晶硅纳米膜电阻。本实用新型具有固有频率高、灵敏度高、过载能力强、温度特性好等优点，其制造方法与IC工艺兼容适于大批量生产。

主权项

一种压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片，该芯片主要包括硅基框架（1）、主梁（2）、微梁（3）和质量块（4），其特征在于：质量块（4）通过主梁（2）和微梁（3）与硅基框架（1）相连；质量块（4）一端设置有微梁（3），微梁（3）上设有应变电阻（5），质量块（4）另一端设置有对称的两个主梁（2），主梁（2）一端与质量块（4）相连，另一端与硅基框架（1）相连，应变电阻（5）通过金属导线（6）连接成惠斯通电桥。