半导体器件形成方法

摘要

一种半导体器件形成方法，包括：提供基底，所述基底表面依次形成有第一牺牲层、层间介质层以及至少两个贯穿所述层间介质层和第一牺牲层厚度的沟槽；对沟槽侧壁的层间介质层进行处理，形成第二牺牲层；形成第二牺牲层后，向沟槽内填充导电材料，形成金属线层；形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖金属线层和部分所述第二牺牲层，使后续部分第二牺牲层和第一牺牲层不会被去除；去除所述第一掩膜层暴露出的部分第二牺牲层和所述部分第二牺牲层底部的第一牺牲层，形成开口；去除所述第二掩膜层，形成覆盖所述金属线层、剩余的第二牺牲层、层间介质层、且横跨所述开口的绝缘层。本发明中形成的半导体集成电路的RC效应小，性能好。

主权项

一种半导体器件形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面依次形成有第一牺牲层、层间介质层以及至少两个贯穿所述层间介质层和第一牺牲层厚度的沟槽；对所述沟槽侧壁的层间介质层进行处理，形成第二牺牲层；形成第二牺牲层后，向所述沟槽内填充导电材料，形成金属线层；形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖金属线层和部分所述第二牺牲层，使后续部分第二牺牲层和第一牺牲层不被去除，作为层间介质层的支撑，所述第一掩膜层覆盖的部分第二牺牲层的长度占总的第二牺牲层长度的1％‑50％；去除所述第一掩膜层暴露出的部分第二牺牲层和所述部分第二牺牲层底部的第一牺牲层，形成开口；去除所述第一掩膜层，形成覆盖所述金属线层、剩余的第二牺牲层、层间介质层、且横跨所述开口的绝缘层。