发明名称 双面粗化垂直导通式发光二极体及其制作方法
摘要
申请公布号 TWI479689 申请公布日期 2015.04.01
申请号 TW098112631 申请日期 2009.04.16
申请人 国立中兴大学 发明人 洪瑞华;武东星
分类号 H01L33/22 主分类号 H01L33/22
代理机构 代理人 高玉骏 台北市松山区南京东路3段248号7楼;杨祺雄 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种双面粗化垂直导通式发光二极体,包含:一永久基板,可导电并具有一可反射光的顶面;一磊晶膜,设置在该永久基板上并提供电能时以光电效应产生光,具有相反且经过粗化的一第一表面与一第二表面,该第二表面的高低落差不小于300nm,且多数相对远离该第一表面的峰域与该顶面接触并相欧姆接触;一光学级的黏着层,填覆于该第二表面与该永久基板的顶面之间并黏结该永久基板与该磊晶膜;及一顶电极,可导电并与该磊晶膜相欧姆接触,与该永久基板配合对该磊晶膜提供电能。
地址 台中市南区国光路250号