ＳＧＴを有する半導体装置の製造方法

摘要

【課題】単一の半導体柱に縦方向に複数のＳＧＴを形成する回路を製造するにあたり、ＳＧＴのソース又はドレインを構成する、ドナー又はアクセプタ不純物を含むＮ＋領域又はＰ＋領域を、ＳＧＴ間における所定の位置に高精度に形成する。【解決手段】半導体装置の製造方法において、ＳｉＯ２層２３ａ、２３ｂ、２３ｃをエッチングマスクとして用い、ｉ層基板１３ａ上に順に積層されたｉ層２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、下部不純物領域であるＮ＋領域２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、上部不純物領域であるＮ＋領域２６ａ、Ｐ＋領域２６ｂ、Ｎ＋領域２６ｃ、ｉ層２７ａ、２７ｂ、２７ｃの各層をそれぞれ備えるＳｉ柱Ｈ５、Ｈ３、Ｈ４を形成し、上部不純物領域及び下部不純物領域を、それぞれ、Ｓｉ柱Ｈ５、Ｈ３、Ｈ４の上部及び下部に形成されるＳＧＴのソース又はドレインを構成する不純物層として用いＳＧＴを製造する。【選択図】図２Ｅ