发明名称 三极体;TRIODE
摘要 一种三极体。该三极体包括第一类型基底、一第二类型阱区、一第一类型轻掺杂区域、一第二类型高掺杂区域与一第一类型高掺杂区域。该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型基底依次层叠设置。该第一类型轻掺区域为该三极体之集极区域。该第二类型高掺杂区域为该三极体之基极区域。该第一类型高掺杂区域为该三极体之射极区域。该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域被施加相同的电压。
申请公布号 TW201513339 申请公布日期 2015.04.01
申请号 TW102135239 申请日期 2013.09.30
申请人 天钰科技股份有限公司 FITIPOWER INTEGRATED TECHNOLOGY, INC. 发明人 郑志男 CHENG, CHIH NAN
分类号 H01L29/70(2006.01);H01L29/40(2006.01) 主分类号 H01L29/70(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区笃行路6之8号3楼 TW