发明名称 |
三极体;TRIODE |
摘要 |
一种三极体。该三极体包括第一类型基底、一第二类型阱区、一第一类型轻掺杂区域、一第二类型高掺杂区域与一第一类型高掺杂区域。该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型基底依次层叠设置。该第一类型轻掺区域为该三极体之集极区域。该第二类型高掺杂区域为该三极体之基极区域。该第一类型高掺杂区域为该三极体之射极区域。该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域被施加相同的电压。 |
申请公布号 |
TW201513339 |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
TW102135239 |
申请日期 |
2013.09.30 |
申请人 |
天钰科技股份有限公司 FITIPOWER INTEGRATED TECHNOLOGY, INC. |
发明人 |
郑志男 CHENG, CHIH NAN |
分类号 |
H01L29/70(2006.01);H01L29/40(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/70(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区笃行路6之8号3楼 TW |