发明名称 两个或两个以上晶粒之多晶粒面向下堆叠
摘要
申请公布号 TWI479638 申请公布日期 2015.04.01
申请号 TW101114250 申请日期 2012.04.20
申请人 泰斯拉公司 发明人 哈巴 比加希姆;柔伊 华尔;柯斯伯 理查 狄威特;穆翰米德 艾里亚斯
分类号 H01L25/04;H01L23/52 主分类号 H01L25/04
代理机构 代理人 阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种微电子总成,其包含:一基板,其具有:第一表面及第二表面,其等各自界定沿一第一方向及横向于该第一方向的一第二方向延伸之一各别平面;及第一开口及第二开口,其在该第一表面与该第二表面之间延伸,该第一开口具有沿该第一方向延伸之一长尺寸且该第二开口具有沿该第二方向延伸之一长尺寸,该第一开口及该第二开口之该等长尺寸具有大于该第一开口及该第二开口之短尺寸之长度,该第一开口及该第二开口之该等短尺寸分别沿该第二方向及该第一方向延伸;一第一微电子元件,其具有面对该第一表面之一前表面、远离该前表面之一后表面、一第一边缘及相对于该第一边缘的一第二边缘、沿该第一边缘与该第二边缘之间的一方向延伸且在该前表面与该后表面之间延伸之一第三边缘及在该前表面之一中央区中与该第一开口对准之接合垫,该中央区延伸该第一边缘与该第二边缘之间之一距离的一中间三分之一;及一第二微电子元件,其具有面向该第一微电子元件之该后表面且突出超过该第一微电子元件之该第三边缘之一前表面、及在该第二微电子元件之该前表面之一中央区中与该第二开口对准之接合垫,该中央区延伸该第二微电子元件之第一与第二对置边缘之间之一距离的一中间三分之一, 其中该第一微电子元件及该第二微电子元件之该等接合垫电连接至该基板之导电元件。
地址 美国