发明名称 半导体功率转换装置
摘要 本发明提供一种半导体功率转换装置的热损坏保护装置,其通过使半导体功率转换装置内所使用的元件的温度上升均匀,从而防止半导体功率转换装置的元件由于发热而损坏。在半导体功率转换装置中,针对该半导体功率转换装置所使用的各个元件,通过计算各元件的相对于允许温度的温度裕度,以使得所述温度裕度较低的元件的导通率下降的方式控制半导体功率转换装置,使半导体功率转换装置内所使用的元件的温度上升均匀。
申请公布号 CN102957333B 申请公布日期 2015.04.01
申请号 CN201210040858.1 申请日期 2012.02.21
申请人 三菱电机株式会社 发明人 西村隼一;今中晶;原川雅哉
分类号 H02M7/5387(2007.01)I 主分类号 H02M7/5387(2007.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 何立波;张天舒
主权项 一种半导体功率转换装置,其具有:功率转换部,其具有半导体开关元件和半导体元件,该半导体开关元件根据指令进行接通或断开动作,该半导体元件与所述半导体开关元件逆并联地连接,限制使得电流沿规定方向流动,该功率转换部通过所述半导体开关元件的接通、断开动作而对来自外部的输入电压进行PWM控制,并向外部输出电流;以及温度控制部,其具有元件允许温度存储单元、元件温度检测单元、温度裕度运算单元以及电压指令单元,其中,该元件允许温度存储单元对用于使所述各元件正常动作的温度允许值即允许温度进行存储,该元件温度检测单元对所述各元件的温度进行检测,该温度裕度运算单元对所述元件允许温度存储单元所存储的各元件的允许温度和由所述元件温度检测单元检测出的各元件的温度之间的差值进行运算,该电压指令单元对所述半导体开关元件发出指令,选择性地使得所述各元件中,由所述温度裕度运算单元运算出的所述差值与其它元件相比较低的元件的导通率下降。
地址 日本东京