发明名称 |
用于多晶硅还原炉的漏电及碰壁保护装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种用于多晶硅还原炉的漏电及碰壁保护装置,包括正弦信号源,负极接地;变压器,用于将正弦信号源输出的电压信号的幅值升高至设定值;变压器的原边绕组与正弦信号源及检测电阻构成串联回路,副边绕组的正极通过第一电容与多晶硅还原炉的工作电源的正极连接;副边绕组的负极通过第二电容与多晶硅还原炉的底盘连接;电压采集模块,用于采集检测电阻两端的电压;处理模块,用于将检测电阻两端的电压与预设的电压阈值进行比较,电压大于电压阈值则发出告警提示。通过监控检测电阻的两端的电压以实现多晶硅还原炉的漏电及碰壁保护功能,且采用铂热电阻作为检测电阻,可靠性高,不易产生误判。 |
申请公布号 |
CN204242339U |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
CN201420665526.7 |
申请日期 |
2014.11.07 |
申请人 |
新疆合晶能源科技有限公司;浙江合盛硅业有限公司 |
发明人 |
方红承;胡红星;杨楠;朱恩华;方九林 |
分类号 |
G08B19/00(2006.01)I;G08B7/06(2006.01)I;G01R19/165(2006.01)I |
主分类号 |
G08B19/00(2006.01)I |
代理机构 |
杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 |
代理人 |
沈自军 |
主权项 |
一种用于多晶硅还原炉的漏电及碰壁保护装置,其特征在于,包括:正弦信号源,负极接地;变压器,用于将正弦信号源输出的电压信号的幅值升高至设定值;变压器的原边绕组与正弦信号源及检测电阻构成串联回路,副边绕组的正极通过第一电容与多晶硅还原炉的工作电源的正极连接;副边绕组的负极通过第二电容与多晶硅还原炉的底盘连接;电压采集模块,用于采集检测电阻两端的电压;处理模块,用于将检测电阻两端的电压与预设的电压阈值进行比较,当检测电阻两端的电压大于电压阈值时,认为发生漏电或碰壁并发出告警提示。 |
地址 |
830012 新疆维吾尔自治区石河子市北工业园区 |