RC-IGBT器件

摘要

本发明公开了一种RC-IGBT器件，其衬底中具有P阱，P阱中具有栅极沟槽，沟槽内壁及底部覆盖一层栅氧化层；沟槽内填充满多晶硅形成多晶硅栅极；所述P阱中还具有重掺杂P型区，重掺杂P型区上方与多晶硅栅极之间为重掺杂N型区；金属连线穿通介质层与重掺杂P型区连接；所述多晶硅栅极上方还具有多个呈等距或者不等距间隔设计的第二多晶硅，排列于P阱上方的衬底表面，将多晶硅栅极形成跨接。这种设计的RC-IGBT器件，在保证EMI性能的同时兼容传统工艺，节省一套掩膜板的使用，降低了制造成本。

主权项

一种RC‑IGBT器件，其衬底中具有P阱，P阱中具有栅极沟槽，沟槽内壁及底部覆盖一层栅氧化层；沟槽内填充满多晶硅形成多晶硅栅极；所述P阱中还具有重掺杂P型区，重掺杂P型区上方与多晶硅栅极之间为重掺杂N型区；金属连线穿通介质层与重掺杂P型区连接；其特征在于：所述多晶硅栅极之间的上方还具有多个呈间隔设计的第二多晶硅，排列于P阱上方的衬底表面，将多晶硅栅极形成跨接。