发明名称 半导体装置、DC/DC变换器和电源系统
摘要 提供一种半导体装置、DC/DC变换器和电源系统,该半导体装置可防止自导通并能大幅度地提高电源变换效率。在把高端开关、低端开关、两个驱动器单封装化了的电源用封装中系统中,由于通过把辅助开关内装在低端开关的栅-源间,并在同一个芯片上构成该低端开关的低端MOSFET 3和辅助开关的辅助MOSFET 4,能够防止自导通,所以可以安装阈值电压低的低端MOSFET 3,电源变换效率大幅度地提高。而且,关于辅助MOSFET 4的栅驱动,通过利用高端MOSFET 2的驱动器,也不需要设置新的驱动电路,而且能够以与现有制品相同的管脚配置来实现,置换是容易的。
申请公布号 CN102916008B 申请公布日期 2015.04.01
申请号 CN201210380138.X 申请日期 2005.06.10
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 白石正树;岩崎贵之;松浦伸悌
分类号 H01L25/16(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H02M3/155(2006.01)I 主分类号 H01L25/16(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 许海兰
主权项 一种包含DC/DC变换器的半导体装置,包括:第1芯片安装部分,具有用作上述DC/DC变换器的输入的第1引线;第2芯片安装部分,具有用作上述DC/DC变换器的输出的第2引线;第3芯片安装部分;第3引线,向上述DC/DC变换器提供地电位;第1半导体芯片,包含上述DC/DC变换器的高端MOSFET,上述第1半导体芯片被安装在上述第1芯片安装部分上;上述第1半导体芯片具有正面;上述第1半导体芯片具有电连接到上述高端MOSFET的栅电极且形成在上述正面上的第1栅电极焊盘、电连接到上述高端MOSFET的源电极的且形成在上述正面上的第1源电极焊盘、和上述高端MOSFET的第1漏电极,上述第1源电极焊盘被电连接到上述第2芯片安装部分;上述第1漏电极被电连接到上述第1芯片安装部分;第2半导体芯片,包含上述DC/DC变换器的低端MOSFET和电连接到上述低端MOSFET的辅助MOSFET,上述第2半导体芯片被安装在上述第2芯片安装部分上,上述第2半导体芯片具有正面和与上述正面相对的反面;上述第2半导体芯片具有电连接到上述低端MOSFET的栅电极的第2栅电极焊盘、电连接到上述低端MOSFET的源电极的第2源电极焊盘、和电连接到上述辅助MOSFET的栅电极的在上述正面上的第3栅电极焊盘、和在上述反面上的上述低端MOSFET的第2漏电极,上述第2源电极焊盘被电连接到上述第3引线;上述第2漏电极被电连接到上述第2芯片安装部分;第3半导体芯片,包含驱动上述高端MOSFET的第1驱动电路和驱动上述低端MOSFET的第2驱动电路,上述第3半导体芯片被安装在上述第3芯片安装部分上,上述第3半导体芯片具有正面和与上述正面相对的反面;上述第3半导体芯片具有电连接到上述第1驱动电路的第1电极焊盘和电连接到上述第2驱动电路的第2电极焊盘;以及密封体,密封上述第1半导体芯片、第2半导体芯片和第3半导体芯片,其中,上述辅助MOSFET的源电极电连接到上述低端MOSFET的上述源电极,其中,上述辅助MOSFET的漏电极电连接到上述低端MOSFET的上述栅电极,其中,上述第3半导体芯片的上述第1电极焊盘通过第1导线电连接到上述第1半导体芯片的上述第1栅电极焊盘,并且通过第3导线电连接到上述第2半导体芯片的上述第3栅电极焊盘,以及其中,上述第3半导体芯片的上述第2电极焊盘通过第2导线电连接到上述第2半导体芯片的上述第2栅电极焊盘。
地址 日本神奈川
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