流体的去污染产品及获得方法

摘要

本发明涉及流体的去污染产品(10)，其包含一方面是具有内部和外部比表面(14)的多孔体(12)，并且另一方面是覆盖该多孔体(12)的内部和外部比表面(14)的至少一部分的至多纳米级厚度的金属化层(16)。该金属化层(16)包含至少一种通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)与多孔体(12)结合的金属(Ag)。另外，该金属化层(16)包含通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)同样与多孔体(12)结合的硅(Si)。本发明还涉及去污染产品(10)的获得方法，包括具有内部和外部比表面(14)的多孔体(12)的处理步骤(102)，该步骤在具有惰性气体等离子体和射频放电的沉积反应器(24)中通过将该多孔体(12)浸入等离子体中并且将金属(Ag)注入等离子体中来进行。多孔体的处理步骤(102)还包括在等离子体中注入硅(Si)。

主权项

流体的去污染产品(10)，其包含一方面是包含含碳组分的、具有内部和外部比表面(14)的多孔体(12)，并且另一方面是覆盖该多孔体(12)的内部和外部比表面(14)的至少一部分的至多纳米级厚度的金属化层(16)，该金属化层(16)包含至少一种通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)与多孔体(12)结合的金属，其特征在于该金属化层(16)还包含通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)同样与多孔体(12)结合的硅(Si)，以及特征在于金属化层(16)与该多孔体相互作用地包含通过将多孔体(12)浸入具有惰性气体等离子体和射频放电的沉积反应器(24)的等离子体中并且将金属注入等离子体中获得的金属硅化物的碳化物类型的组分。