| 发明名称 | 薄膜发光二极体装置 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI479652 | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | TW101149575 | 申请日期 | 2012.12.24 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 胡鸿烈;蔡曜骏;杨季瑾;温士逸 |
| 分类号 | H01L27/15 | 主分类号 | H01L27/15 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种薄膜发光二极体装置，包括：一基板，具有一顶面；多个发光二极体，设置于该基板之该顶面，且该些发光二极体彼此之间具有空隙，每一发光二极体包括一第一半导体层、一第二半导体层以及一发光层，该发光层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间，其中第2m-1个发光二极体的该第一半导体层位于该基板与该发光层之间，而第2m个发光二极体的该第二半导体层位于该基板与该发光层之间，且m为大于等于1的整数；一绝缘层，填入该些发光二极体彼此之间的空隙；以及一导电层，自第2m-1个发光二极体的该第二半导体层上跨越该绝缘层以接触第2m个发光二极体的该第一半导体层以使第2m-1个发光二极体与第2m个发光二极体电性连接。 | ||
| 地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 | ||