GaN基倒装LED微显示结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种GaN基倒装LED微显示结构及其制作方法，其中制作方法包括如下步骤：S1.提供GaN基倒装LED外延片，对其中p-GaN层进行ICP刻蚀，形成第一沟槽；S2.ISO刻蚀，对GaN基倒装LED外延片中显示单元进行ICP刻蚀，形成第二沟槽；S3.在n-GaN层上制作N电极；S4.在第二沟槽处沉积绝缘层，并制作相应绝缘层图形；S5.制作反射镜层和保护金属层；S6.制作保护层，并保留第一引脚和第二引脚；S7.对LED芯片进行研磨、减薄。通过本发明的GaN基倒装LED微显示结构可得到可寻址的微显示LED，配合相应驱动电路，其可实现晶圆级的微显示，拓展了GaN基倒装LED应用领域。

主权项

一种GaN基倒装LED微显示结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：S1.提供GaN基倒装LED外延片，对其中p‑GaN层进行ICP刻蚀，形成第一沟槽；S2.ISO刻蚀，对GaN基倒装LED外延片中n‑GaN层进行ICP刻蚀，形成第二沟槽；S3.在n‑GaN层上制作N电极；S4.在所述第二沟槽处沉积绝缘层，并制作相应绝缘层图形；S5.在相应区域制作反射镜层和保护金属层；S6.在所述保护金属层上制作保护层，并保留第一引脚和第二引脚；S7.对LED芯片进行研磨、减薄。