发明名称 |
发光器件、发光器件封装以及照明系统 |
摘要 |
本发明公开发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。发光器件包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在第一和第二导电半导体层之间的有源层。第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层包括铝。第二导电半导体层具有高于第一导电半导体层的铝含量的铝含量。第一导电半导体层具有高于有源层的铝含量的铝含量。 |
申请公布号 |
CN102074625B |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
CN201010524481.8 |
申请日期 |
2010.10.26 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
孙孝根 |
分类号 |
H01L33/02(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/26(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/02(2010.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
夏凯;谢丽娜 |
主权项 |
一种发光器件,包括:第一导电半导体层;第二导电半导体层;以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层,其中所述第一导电半导体层、所述有源层、以及所述第二导电半导体层包括铝,其中所述第二导电半导体层的铝含量高于所述第一导电半导体层的铝含量,并且其中所述第一导电半导体层具有高于所述有源层的铝含量的铝含量,其中所述有源层包括多个量子阱层和多个阻挡层,其中所述量子阱层的铝含量低于所述阻挡层的铝含量,以及其中所述量子阱层包括包含铝的第一层和在所述第一层上的不含有铝的第二层。 |
地址 |
韩国首尔 |