半导体器件

摘要

所公开的是用作多值化存储器设备的半导体器件，包括：串联连接的存储单元；选择存储单元并驱动第二信号线和字线的驱动器电路；选择写入电位中的任意并将其输出至第一信号线的驱动器电路；比较位线的电位和参考电位的读取电路；以及产生写入电位和参考电位的电位产生电路。一个存储单元包括：连接至位线和源线的第一晶体管；连接至第一和第二信号线的第二晶体管；以及连接至字线、位线、以及源线的第三晶体管。第二晶体管包括氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极连接至第二晶体管的源和漏电极中的一个。

主权项

一种半导体器件，包括：源线；位线；第一信号线；多个第二信号线；多个字线；在所述源线和所述位线之间串联连接的多个存储单元；第一驱动器电路，被设置为以根据被输入至所述第一驱动器电路的地址信号而从所述多个存储单元中选中存储单元的方式驱动所述多个第二信号线和所述多个字线，第二驱动器电路，被设置为选择并输出多个写入电位中的任意至所述第一信号线；读取电路，向其提供位线的电位和多个参考电位，且所述读取电路比较所述位线的电位和多个参考电位而读取数据；且电位产生电路，产生所述多个写入电位和所述多个参考电位并将所述多个写入电位和所述多个参考电位提供至所述第二驱动器电路和所述读取电路，其中，所述多个存储单元中的一个包括：包含第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的第一晶体管；包含第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的第二晶体管；以及包含第三栅电极、第三源电极和第三漏电极的第三晶体管，其中所述第一晶体管被提供在含有半导体材料的衬底上，其中所述第二晶体管包括氧化物半导体层；且其中所述第一栅电极与所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个彼此电连接，其中所述源线、所述第一源电极、和所述第三源电极彼此电连接，其中所述位线、所述第一漏电极、和所述第三漏电极彼此电连接，其中所述第一信号线、与所述第二源电极和所述第二漏电极中的另一个，彼此电连接，其中所述多个第二信号线中的一个与所述第二栅电极彼此电连接，且其中所述多个字线中的一个与所述第三栅电极彼此电连接。