薄膜电晶体，其制造方法，及半导体装置

主权项

一种薄膜电晶体，包括：结晶半导体膜，其中，所述结晶半导体膜包括一个或多个结晶带，所述多个结晶带分别包括在一个方向上延伸的晶粒，其中，所述多个结晶带在短轴方向上的长度是3μm以下，其中，所述多个结晶带在长轴方向上的长度是3μm以上且20μm以下，其中，所述多个结晶带中的至少一个在其中包括源区、沟道形成区以及汲区，且其中，在所述结晶半导体膜的所述沟道形成区中没有横穿沟道长度方向的晶界。