| 发明名称 | 改善HIT太阳能电池性能的微纳结构及制备方法 | ||
| 摘要 | 一种改善HTT太阳能电池性能的微纳结构，包括：一衬底；一倒金字塔结构，该倒金字塔结构是在衬底正面腐蚀形成的；一纳米线结构，该纳米线结构是在倒金字塔结构上腐蚀形成的；一绝缘层，该绝缘层制作在倒金字塔结构上，并覆盖纳米线结构；一本征非晶硅层，其制作在衬底的背面；一掺杂非晶硅层，其制作在本征非晶硅层上；多个电极层，其制作在掺杂非晶硅层上。本发明可以减少光的反射，从而改善光吸收，提高转化效率，适用于制备高效的HIT太阳能电池。 | ||
| 申请公布号 | CN104485367A | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201410785507.2 | 申请日期 | 2014.12.17 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 袁国栋;吴瑞伟;李晋闽;王军喜 |
| 分类号 | H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0236(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种改善HIT太阳能电池性能的微纳结构，包括：一衬底；一倒金字塔结构，该倒金字塔结构是在衬底正面腐蚀形成的；一纳米线结构，该纳米线结构是在倒金字塔结构上腐蚀形成的；一绝缘层，该绝缘层制作在倒金字塔结构上，并覆盖纳米线结构；一本征非晶硅层，其制作在衬底的背面；一掺杂非晶硅层，其制作在本征非晶硅层上；多个电极层，其制作在掺杂非晶硅层上。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||